清溢光电近期接受投资者调研时称，半导体芯片掩膜版技术方面，公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产，已实现150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证，正在推进130nm-65nm的PSM和OPC工艺的掩膜版开发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。
（文章来源：界面新闻）
本文标题： 清溢光电：正在推进28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划(清溢光电上市遭质疑)
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